(495)
105 99 23



оплата и доставка

оплата и доставка char.ru



Книги интернет магазинКниги
Рефераты Скачать бесплатноРефераты



Осознанность, где взять счастье

РЕФЕРАТЫ РЕФЕРАТЫ

Разлел: Техника Разлел: Техника

Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета

найти еще ...
Теория и методы расчета молекулярных процессов: спектры, химические превращения и молекулярная логика URSS Баранов В.И.
На базе первых принципов выводится закон Аррениуса, обосновывается правило локальности химических превращений в больших молекулах (реакционные центры) и т. д. Анализ следствий общей теории позволяет сформулировать простые правила хода химических реакций и поиска их путей.
890 руб
Методы расчета цилиндрических оболочек из композиционных материалов Физматлит Соломонов Ю.С.
Получены дифференциальные уравнения устойчивости и колебаний однослойных, трехслойных и слоистых оболочек, подкрепленных ребрами жесткости и упругим цилиндром, и предложены методы их решения, а также дан метод решения уравнений оболочек, имеющих естественные или искусственные ослабления.
475 руб

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ Кафедра ЭТТ РЕФЕРАТ На тему: «Резисторы и конденсаторы в «полупроводниковом» исполнении. Топологические решения и методы расчета» МИНСК, 2008 1. Конденсаторы В качестве конденсаторов, т. е. пассивных элементов полупро­водниковых ИМС, предназначенных для использования их .емкос­ти, чаще всего находят применение обратно-смещенные р — п-g реходы Кроме того, применяются структуры типа металл —ди­электрик .— полупроводник (МДП) (в том числе в биполярных микросхемах). Реже используются структуры типа металл — ди­электрик — металл (МДМ). На рисунке 1.1 изображены структуры конденсаторов полупровод­никовых микросхем, а В таблице 1.1 представлены ориентировочныезначения их параметров . Рисунок 1.1. Структуры конденсаторов полупроводниковых микросхем: а—на основе эмиттерного р—п -перехода транзистора; б—на основе коллекторного перехода: в - на основе р- перехода кол­лектор—подложка; г-на основе парал­лельно включенных емкостей эмиттерного и коллекторного р— -переходов; д—типа металл—диэлектрик—полупроводник. Поскольку профиль распределения концентрации примесей в вертикальных (боковых) плоскостях пленарных р — -переходов, полученных диффузией, значительно отличается от профиля рас­пределения в горизонтальной части р — -переходов и аналитичес­кий расчет его затруднителен, В таблице приводятся ориентиро­вочные значения параметров для обоих случаев. Полная емкость. Таблица 1.1 конденсатора при использовании данных Таблица рассчитывается в соответствии с соотношением (1.1) где Согор, Соверт и Sгор Sверт — удельные емкости и площади гори­зонтальных и вертикальных плоскостей р — «-переходов. Температурный коэффициент емкости (ТКЕ) конденсатора оп­ределяется выражением (1.2) где Т — температура. Если в интервале температур (Т2—Т1) изменение емкости (С2 — С1) связано с изменением температуры линейной зависи­мостью, то ТКЕ описывается формулой (1.3) Для конденсаторов на основе р—переходов при обратных на­пряжениях порядка нескольких вольт ТКЕ составляет величину ас = (2—5) 104 1/град. Емкость конденсаторов типа металл — диэлектрик — полупро­водник рассчитывается следующим образом. Поскольку полная удельная емкость структуры типа МДП Со состоит из последова­тельно включенных удельных емкостей диэлектрика СОд и прост­ранственного заряда в полупроводнике С0П) она может быть опре­делена согласно соотношению: (1.4) Удельная емкость диэлектрика является величиной постоянной, определяет максимальную удельную емкость всей структуры и рассчитывается по формуле (1.5) Где и — диэлектрическая проницаемость и толщина диэлект­рической пленки. Емкость области пространственного заряда в поверхностном слое полупроводника зависит от приложенного к МДП-конденсатору напряжения. Если знак и величина приложенного напряжения таковы, что на поверхности полупроводника образуется слой, обогащенный ос­новными носителями заряда, полная удельная емкость определяет­ся удельной емкостью диэлектрика, т. е. С0=С0я. (Для структуры, изображенной на рисунке 1.1, д, это равенство будет выполняться при приложении к металлическому электроду, расположенному над окислом, достаточно большого по величине напряжения положи­тельного знака.) При соответствующих знаке и достаточно большой величине при­ложенного напряжения в приповерхностном слое полупроводника под окислом может образоваться инверсионный слой, т. е. слой с обратной по отношению к нейтральному состоянию полупроводни­ка проводимостью.

Применяя дополнительную селективную обработку резистивного слоя лучом лазера, можно корректировать сопротивление резистора за счет изменения профиля распределе­ния примесей в данной части слоя. Достоинствами резисторов, изготовленных нанесением на по­верхность кристалла ИМС металлических или поликристалличес­ких кремниевых пленок, являются независимость их сопротивления от величины напряжения, поданного на резистор, а также меньшие паразитные емкости и ТКС по сравнению с диффузионными или имплантированными резисторами. Металлические и поликремние­вые резисторы также поддаются корректировке путем пропускания через них электрического тока (плотность тока в импульсе не ме­нее 106 А/см2) или обработки лучом лазера. Изменение сопротив­ления при этом происходит вследствие изменений кристаллической: структуры пленок (размеров зерен, перераспределения примесей и т. п.). Коэффициент паразитной емкости резисторов Таблица 2.2 Тип резисторов Коэффициент КR (пФ/(кОм-мкм2)) при удельном сопротивлении эпитаксиального коллекторного слоя р р=1 Ом-см р=6 Ом-см р=10 Ом-см Базовый слой Сжатые резисторы на основе: базового слоя коллекторного слоя 1 10-32,7 10-5 8 10-5 5 10—41,6 10-3 4 10-5 4,5 10-41,1 10-5 2,8 10-5 Расчет диффузионных и имплантированных резисторов заклю­чается в определении их геометрических размеров с учетом профи­ля распределения примесей в полупроводниковых слоях. Основны­ми условиями, принимаемыми во внимание при расчете, являются обеспечение необходимой мощности рассеяния резистора и задан­ной погрешности номинального сопротивления. С одной стороны, исходя из условия заданной мощности рассе­яния Р и допустимой удельной мощности Ро, можно выразить пло­щадь, занимаемую резистивным слоем, как S = P/P0. С другой стороны, площадь определяется геометрическими размерами S = = l/b. Поскольку длина резистивной полоски равна l=bkф, то пло­щадь может быть выражена соотношением S=b2kф. Таким обра­зом, минимальная ширина резистивной полоски, найденная из ус­ловия рассеиваемой мощности, определяется выражением (2.7) Максимально допустимая удельная рассеиваемая мощность со­ставляет Ро=8 Вт/мм2 для диффузионных и имплантированных ре­зисторов. Номинальная рассеиваемая мощность полупроводнико­вых резисторов обычно не превышает 10 мВт. Требования, предъявляемые к допустимой погрешности номи­нального значения сопротивления резистора, также ограничивают номинальную ширину резистивной полоски. Если задана допусти­мая относительная погрешность сопротивления резистора уя — = AR/R, которая должна обеспечиваться в интервале рабочих темпе­ратур микросхемы в течение всего периода эксплуатации (в том числе без электрической нагрузки), то расчет резистора ведется с учетом ТКС и изменения сопротивления вследствие процессов вре­менного старения. Относительное отклонение сопротивления вследствие измене­ния температуры определяется как (2.8) Относительное изменение сопротивления из-за процессов ста­рения -улт целесообразно учитывать только для поликремниевых и металлических резисторов, поскольку их пленочная поликристал­лическая структура более чувствительна к воздействию окружаю­щей среды, чем монокристаллические слои диффузионных или им­плантированных резисторов.

Поиск Создано человеком

Задача эта, прямо скажем, не из легких. И чтобы быстрее и успешнее ее решить, при Институте общей и неорганической химии АН СССР разработаны предложения по созданию Межведомственного научно-технического комплекса "Технология новых материалов для микро- и функциональной электроники)). И хотя идей, методов, подходов к решению поставленных жизнью проблем нам занимать не приходится, практическое решение тормозится главным образом отсутствием необходимого оборудования. Разумеется, ученые прекрасно знают, что именно им нужно для решения проблемы, но знать и иметь, как известно, совсем не одно и то же. И такое положение, к сожалению, складывается при рассмотрении многих других проблем, научных и практических. Как известно, в современном промышленном оборудовании (теплообменники, абсорберы для защиты окружающей среды от вредных газовых выбросов, газо-жидкостные реакторы) жидкость движется в виде тонких пленок толщиной от нескольких десятых миллиметра до 2-3 миллиметров. Чтобы создать методы расчета кинетики массообмена в таком оборудовании, необходимо провести тончайшие измерения: определить профили скорости по сечению пленки, профили интенсивности турбулентности, стохастические (случайные) процессы волнообразования на поверхности

Реферат: Некоторые аспекты исполнения судебных решений в отношении государства Некоторые аспекты исполнения судебных решений в отношении государства

Во-первых, тезис о возможности государства «возложить исполнение требований судебных актов на различные органы и организации» в зависимости от формы собственности не является однозначным. Во-вторых, противоречием Конституции является собственно процедура исполнения, установленная БК. Концепция исполнительного производства, заложенная в БК, не касается принудительного порядка. Данный нормативный акт вообще не предусматривает мер принудительного исполнения, а лишь описывает взаимоотношения должника и Минфина либо иного финансового органа. В результате подобного взаимодействия в случае неисполнения должником исполнительного документа в течение трех месяцев финансовый орган в соответствии с п. 8 ст. 242.3 БК извещает об этом взыскателя. Получается, что речь идет не просто о дифференциации органов исполнения, о которой говорится в упомянутом постановлении Конституционного Суда, а о различных процедурах исполнительного производства. Причем различие имеет концептуальный характер. Обычное исполнительное производство предусматривает меры принудительного исполнения. Исполнительное производство в отношении государства таких мер не предусматривает.

Поиск Стальная эскадрилья

Скорость эволютивная - 160 км/час, но самолет почти не слушается рулей, вяло переваливается с крыла на крыло, качается, как шлюпка на океанской волне... Пока ищу причину такого поведения машины, происходит нечто странное: воздушный винт левого мотора без всяких видимых причин вдруг остановился. Шум двигателя прекратился, и наступила мертвая тишина. СБ словно ткнулся во что-то вязкое и начал быстро терять остатки скорости. Быстро перевожу машину на планирование и осматриваюсь. Внизу - леса и болота, ни клочка сколько-нибудь подходящей для посадки земли. А высоты и скорости почти нет. Времени на раздумья и решение остаются секунды. Никаких команд подать не успеваю, все подчинено одной цели - посадить самолет на замеченную среди леса небольшую вырубку. Но на нее нужно еще попасть! Такого метода расчета на посадку я тоже еще никогда не применял: крутое скольжение с доворотом влево, потом энергичный вывод из крена... Едва успел выровнять машину и полностью выбрать штурвал на себя, как она поползла по земле, гулко ударяясь о многочисленные пни и коряги

Реферат: Полупроводниковые пластины. Методы их получения Полупроводниковые пластины. Методы их получения

Общая технологическая схема процессов производства полупроводниковых приборов показана на рис. 1. Она включает комп лексы подготовительных процессов, процессов групповой и индивидуальной обработки. В комплекс подготовительных процессов входят: инженерное проектирование схемы, разработка ее топологии и соответствующего комплекта фотошаблонов, а также ряд заготовительных операций - подготовка полупроводниковых подложек, корпусов приборов и др. Формирование самой структуры прибора происходит при групповой обработке, которая состоит из процессов окисления, диффузии примесей, эпитаксии, вакуумного напыления, фотолитографии и технохимической обработки. Развернутая схема групповой обработки пластины при формировании прибора на примере эпитаксиально-планарной структуры представлена на рис. 2. Показанная на схеме часть технологического процесса изготовления приборов связана с одновременным получением множества идентичных структур (кристаллов) на одной полупроводниковой пластине. Цикл групповой обработки заканчивается получением межсоединений на поверхности кристаллов пластины. В индивидуальную обработку входят сборочно-контрольные процессы (разделение групповой пластины на отдельные кристаллы, монтаж кристаллов в корпусах, приварка выводов, герметизация, контроль, механические и климатические испытания,окраска, маркировка и упаковка).

Поиск Алгоритм изобретения

Но найти хорошее решение методом «проб и ошибок» вряд ли удастся даже опытному изобретателю. По правде сказать, я уверен - вы, читатель, не решите задачу. Тут довольно простой расчет. Предположим, вы не менее талантливы, чем Эдисон. Но ведь и Эдисону, по его собственному признанию, приходилось работать над одним изобретением в среднем семь лет. По крайней мере треть этого времени уходила на поиски идеи. Вот что писал изобретатель Николай Тесла, работавший одно время в лаборатории Эдисона: «Если бы Эдисону понадобилось найти иголку в стоге сена, он не стал бы терять времени на то, чтобы определить наиболее вероятное место ее нахождения. Он немедленно с лихорадочным прилежанием пчелы начал бы осматривать соломинку за соломинкой, пока не нашел бы предмета своих поисков. Его методы крайне неэффективны, он может затратить огромное количество времени и энергии и не достигнуть ничего, если только ему не поможет счастливая случайность. Вначале я с печалью наблюдал за его деятельностью, понимая, что небольшие теоретические знания и вычисления сэкономили бы ему тридцать процентов труда

Реферат: Полупроводниковые приборы Полупроводниковые приборы

Полупроводниковые приборы. Техника полупроводниковых приборов стала самостоятельной областью электроники. Замена электронных ламп полупроводниковыми приборами успешно осуществлена во многих радиотехнических устройствах. На всем протяжении развития радиотехники широко применялись кристаллические детекторы, представляющие собой полупроводниковые выпрямители для токов высокой частоты. Для выпрямления постоянного тока электрической сети используют купроксные и селеновые полупроводниковые выпрямители. Однако они непригодны для высоких частот. Ещё в 1922 г. сотрудник Нижегородской радио лаборатории О.В. Лосев получил генерирование электрических колебаний с помощью кристиллического детектора и сконструировал приёмник “Кристадин”, в котором за счет генерации собственных колебаний получалось усиление принимаемых сигналов. Он имел значительно большую чувствительность, нежели обычные приемники с кристаллическими детекторами. Открытие Лосева, к сожалению, не получило должного развития в последующие годы. Полупроводниковые триоды, получившие названия транзисторов, предложили в 1948 г. американские ученые Бардин, Браттейн и Шокли. По сравнению с электронными лампами у полупроводниковых приборов имеются существенные достоинства: 1.

Ручка "Шприц", желтая.
Необычная ручка в виде шприца. Состоит из пластикового корпуса с нанесением мерной шкалы. Внутри находится жидкость желтого цвета,
31 руб
Раздел: Оригинальные ручки
Крючки с поводками Mikado SSH Fudo "SB Chinu", №4BN, поводок 0,22 мм.
Качественные Японские крючки с лопаткой. Крючки с поводками – готовы к ловле. Высшего качества, исключительно острые японские крючки,
58 руб
Раздел: Размер от №1 до №10
Совок большой.
Длина 21,5 см. Расцветка в ассортименте, без возможности выбора.
21 руб
Раздел: Совки

Реферат: Тензоэлектрические полупроводниковые приборы Тензоэлектрические полупроводниковые приборы

Помимо кристаллических тензорезисторов - из кристаллического полупроводника - или p- типа - могу быть поликристаллические тензорезисторы, у которых при деформации сопротивление дополнительно изменяется за счёт изменения сопротивления контактов между отдельными кристалликами. Полупроводниковые тензодиды работают по принципу изменения вольтамперной характеристики под действием давления. Это изменение связанно с тем, что при деформации изменяется высота потенциального барьера в p - - переходе. Коэффициент тензочувствительности у тензодиодов достигает сотен и даже тысяч. Он может быть ещё выше у туннельных диодов. У тензотранзисторов также под действием давления изменяется вольт-амперная характеристика. В зависимости от того, к какой области приложено давление, при его возрастании может наблюдаться уменьшение или увеличение тока. В тензотеристорах с увеличением давления на базовый электрод, играющий роль управляющего электрода, возрастает ток эмиттера и за счёт этого понижается напряжение включения. Список литературы И.П. Жеребцов: Основы электроники.

Реферат: Исследование полупроводникового диода Исследование полупроводникового диода

Исследование полупроводникового диода. Лабораторная работа Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в положение 2. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 2. UПР ,В I, A Uобр, В I, A 0,6 10 2,5 10 0,65 15 5 14 0,7 20 7 20 0,75 25 9 26 0,8 80 11 32 Обработка результатов опытов: По данным таблицы 1, 2 в декартовой системе координат построить вольтамперную характеристику диода. Вывод С помощью этой лабораторной работы мы доказали что полупроводниковый диод обладает односторонней проводимостью. Это показывает вольтамперная характеристика диода.

Реферат: Полупроводниковый преобразователь Полупроводниковый преобразователь

Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды в энергию постоянного электрического тока. Преобразователь представляет собой следующую принципиальную схему (см. рис. 1). Рис.1. Принципиальная схема преобразователя. где: П – кристалл полупроводника (кремний -типа); р- – переход с контактным электрическим полем Ек; М1 – металлический контакт с р-областью (алюминий); М2 - металлический контакт с -областью (алюминий); d – глубина залегания р- перехода (не более 10 мКм); RH – сопротивление нагрузки внешней цепи. Принцип работы преобразователя заключается в следующем. Например, работа выхода электрона из полупроводника -типа составляет 4,25 эВ, р-типа – 5,25 эВ, из алюминия – 4,25 эВ. Поэтому, контакт М2 с полупроводником -типа является оммическим и не влияет на работу преобразователя, а контакт М1 с полупроводником р-типа является инжектирующим. Под действием сил теплового движения и в результате различия работ выхода, электроны из металлического контакта М1 будут инжектироваться в р-область полупроводника.

Реферат: Полупроводниковые датчики температуры Полупроводниковые датчики температуры

Перечислим основные из этих характеристик : 1. Функция преобразования (градуировочная характеристика) представляет собой функциональную зависимость ее выходной величины от измеряемой величины: y = f(x) (1) Зависимость представляется в именованных величинах: y – в единицах выходного сигнала или параметрах датчика, x – в единицах измеряемой величины. Для датчиков температуры – Ом/(С или мВ/К. 2. Чувствительность – отношение приращения выходной величины датчика к приращению его входной величины: S = dy/dx (2) Для линейной части функции преобразования чувствительность датчика постоянна. Чувствительност датчика характеризует степень совершенства процесса преобразования в нем измеряемой величины. 3. Порог чувствительности – минимальное изменение значения входной величины, которое можно уверенно обнаружить. Порог чувствительности связан как с природой самой измеряемой величины, так и с совершенством процесса преобразования измеряемой величины в датчике. 4. Предел преобразования – максимальное значение измеряемой величины, которое может быть измерено без необратимых изменений в датчике в результате рабочих воздействий.

Реферат: Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6 Технология производства полупроводниковых материалов типа А2В6

Выращивание кристаллов из растворов часто считают универсальным методом, позволяющим получать образцы кристаллов веществ с любыми температурами плавления, значительно диссоциирующими при плавлении, а также соединений, образующихся по перитектической реакции. При рассмотрении применимости методов выращивания из растворов монокристаллов соединений с контролируемыми свойствами следует различать следующие случаи: 1) растворителями служат вещества, не входящие в состав выращиваемого кристалла , т. е. раствор образуется путем растворения шихты заданного состава в выбранном растворителе (например, aCl—Н20, ВаТЮ3—KF, Y3Fe~10~4—10~5 см2/сек.). При выращивании эпитаксиальных пленок недостатком метода является то, что все посторонние примеси, присутствовавшие на поверхностях пластин, переходят в раствор и внедряются в растущий кристалл. Преимуществом метода считается то, что легко можно получить плоскопараллельную конфигурацию, которая при равномерной температуре нагрева обеспечивает рост пленки равномерной толщины. 1.1.2. Выращивание монокристаллов из паровой фазы.

Реферат: Статическое электричество и полупроводниковая электроника Статическое электричество и полупроводниковая электроника

Митрофан Иванович Горлов, д.т.н., проф. каф. полупроводниковой электроники Воронежского государственного технического ун-та. В 1966 г. Воронежский завод полупроводниковых приборов начал серийные поставки первых отечественных кремниевых интегральных схем (ИС) диодно-транзисторной логики серии 104 с диэлектрической изоляцией элементов. Но на Казанском заводе, производящем радиоэлектронную аппаратуру, жаловались на их низкое качество: на печатной плате, где размещалось 20 схем, проверенных по электрическим параметрам, после покрытия лаком и сушки одна или две выходили из строя. И это наблюдалось практически на каждой третьей плате. Будучи уверенными в высокой надежности своих схем, воронежцы решили посмотреть технологический процесс нанесения лака на печатные платы. В цехе они увидели: работница держала плату в одной руке, а воздушный краскораспылитель - в другой. Краскораспылитель был заземлен; руки работницы были в резиновых перчатках, которыми пользовались электрики. На вопрос, для чего такая защита, работница ответила, что “здорово бьет”. И только тогда изготовители догадались, что распыление лака создает большой электростатический заряд на плате, который может повреждать ИС.


Сходство и различие бухгалтерского и налогового учета; Особенности учета при упрощенной системе налогооблажения Изд. 2-е, перераб. , доп. - 330 с. {Бухгалтеру и аудитору} Налоговый учет основных средств и нематериальных активов: Поступление и выбытие амортизируемого имущества; Ведение регистров налогового учета; Порядок и методы расчета сумм амортизации; СПб: Питер Бойкова М.П., Пархачева М.А.
96 руб
Интенсификация гидродинамических и тепловых процессов в аппаратах с турбулизаторами потока: Теория, эксперимент, методы расчета Энергоатомиздат Светлов Ю.В.
549 руб
Квантово-статистические модели высокотемпературной плазмы: Методы расчета росселандовых пробегов и уравнений состояний Физматлит Никифоров А.Ф.,Новиков В.Г.,Уваров В.Б.
Рассмотрены модели Томаса-Ферми, Хартри-Фока и Хартри-Фока-Слэтера, обобщенные на произвольные температуры и плотности.
398 руб
Методы расчета обогатительно-гидрометаллургических аппаратов и комбинированных схем - 297 с. ISBN 5-229-01021-3 ~92.03.18 026 М: Металлургия Белоглазов И.Н., Тихонов О.Н., Хайдов В.В.
99 руб
Программа ANSYS. Учебное пособие Методы расчета магнитных систем электрических аппаратов. Высшее профессиональное образование Академия (Academia) Буль О.Б.
Даны примеры интерактивных и командных анализов в ANSYS осесимметричной разомкнутой магнитной системы и магнитной системы с одним зазором при трехмерном поле.
398 руб
Основы проектирования и нормирования вибраций строительных конструкций, подвергающихся эксплуатационным динамическим воздействиям Вибрации строительных конструкций: аналитические методы расчета. Ассоциация строительных вузов (АСВ) Чернов Ю.Т.
Приводятся общие положения проектирования строительных конструкций, основные принципы нормирования и нормируемые параметры вибраций, задачи и анализ результатов инструментальных обследований колебаний.
339 руб
Учебное пособие. Гриф УМО Каркасно-стержневые расчетные модели и инженерные методы расчета железобетонных конструкций. Ассоциация строительных вузов (АСВ) Баранова Т.И.
Пособие может быть использовано в практике проектирования.
349 руб
Магнитные цепи, поля и программа FEMM: Методы расчета магнитных систем электрических аппаратов: Учебное пособие для вузов Высшее профессиональное образование. Электротехника Академия Буль О.Б.
В части II рассматриваются расчеты магнитных систем с использованием теории поля, дается классификация методов их расчета.
430 руб
Квазигазодинамические уравнения и методы расчета вязких течений: Лекции по математическим моделям и численным методам в газовой динамике: Монография Научный мир Елизарова Т.Г.
Монография посвящена современным математическим моделям и основанным на них численным методам решения задач динамики газа и жидкости.
398 руб
Технологии укрупненного и месячного бюджетирования Анализ безубыточности и целевое планирование прибыли; Управление прибылью и бюджетирование: Системы и методы расчета себестоимости; Бином. Лаборатория знаний Савчук В.П.
298 руб

Молочный гриб можно использовать для похудения, восстановления микрофлоры, очищения организмаМолочный гриб можно использовать для похудения, восстановления микрофлоры, очищения организма

(495) 105 99 23

Сайт char.ru это сборник рефератов и книг