(495)
105 99 23



оплата и доставка

оплата и доставка char.ru



Книги интернет магазинКниги
Рефераты Скачать бесплатноРефераты



Осознанность, где взять счастье

РЕФЕРАТЫ РЕФЕРАТЫ

Разлел: Радиоэлектроника Разлел: Радиоэлектроника

ПРОЕКТИРОВАНИЕ И КОНСТРУИРОВАНИЕ СВЧ ИНТЕГРАЛЬНЫХ УСТРОЙСТВ

найти еще ...
Схемотехническое проектирование и моделирование радиоэлектронных устройств (+ CD-ROM) Мир электроники Техносфера Антипенский Р.В.
В учебном пособии рассматриваются основные понятия схемотехнического проектирования радиоэлектронных устройств и математические основы их моделирования с использованием средств автоматизации.
181 руб
Проектирование, конструирование и расчет техники пищевых технологий. Учебник. Гриф УМО вузов России Учебники для ВУЗов. Специальная литература Лань Панфилов В.А.
В учебнике обобщены методы проектирования технологических комплексов, конструирования отдельных машин (аппаратов, биореакторов) и их важнейших расчетов, которые сопровождаются примерами.
2795 руб

Второй маршрут изготовления микрополосковых схем с применением гальванического усиления основан на другом принципе подачи потенциала на все рабочие элементы микросхемы. В этом случае, так же как по первому маршруту, сначала термическим испарением в вакууме на керамическую подложку наносят сплошной слой меди с адгезионным подслоем общей толщиной не более 1 мкм (желательно 0,4—0,7 мкм). Затем формируют защитный рельеф и создают фоторезистивную контактную маску. Чтобы исключить боковое разрастание проводников, целесообразно использовать слои фоторезиста значительной толщины, близкой к толщине проводящего слоя при гальваническом наращивании. Таким образом, контактирование в этом случае осуществляют по сплошному напыленному слою меди, а гальванические слои осаждают в окна на фоторезисте по пробельным участкам. После гальванического усиления рабочих участков и нанесения на них антикоррозийного покрытия удаляют фоторезистивную контактную маску, растворяя ее, и стравливают тонкий слой меди с адгезионным подслоем. Иногда поверхности дополнительно очищают плазмохимическим способом. Для формирования контактной маски толщиной более 2 мкм используют сканирование электронным лучом. В этом случае материал контактной маски выбирают чувствительным к воздействию бомбардировки электронами (электронорезист). Таким образом, второй технологический маршрут свободен от недостатков первого, однако имеет свои трудности. Среди трудностей данного маршрута следует отметить: сложность нанесения и удаления толстой фоторезистивной пленки, загрязнение электролита при гальваническом наращивании проводящего слоя в окна фоторезистивной маски, наличие значительного разрастания элементов в случае тонкого слоя фоторезиста, искажение профиля проводников при травлении слоя меди с адгезионным подслоем. Общими недостатками указанных маршрутов изготовления микрополосковых схем являются: зависимость удельного сопротивления проводников от технологических режимов осаждения, состава и чистоты электролитов; наличие неравномерного роста толщины пленок на подложках больших размеров и в схемах, имеющих элементы с различной шириной проводящих полосок. Неравномерность по толщине может достигать ±7 мкм при средней толщине проводящего слоя ~20 мкм, невоспроизводимость геометрических размеров элементов по ширине при этом составляет 15. . 20 мкм. Чтобы исключить искажения профиля проводящих элементов и зависимость неравномерности геометрических размеров элементов по толщине и ширине от их геометрической формы, применяют метод прямого травления толстых пленок (рис. 2.3). Толстые пленки могут быть получены различными способами, в том числе гальваническим усилением тонких напыленных слоев, а также термическим испарением в вакууме. Изготовлять микросхемы на основе данного метода можно также по двум различным маршрутам, отличающимся последовательностью технологических операций нанесения защитного антикоррозийного покрытия. Антикоррозийное покрытие может быть нанесено термическим испарением в вакууме и может служить затем маской при селективном травлении рабочих проводников или гальваническим и химическим осаждением как после формирования рисунка элементов микросхемы, так и до выполнения фотолитографии.

Погонная емкость планарных конденсаторов зависит от ширины зазора, толщины пленок и диэлектрической постоянной материала подложки или наполнителя. Если использовать наполнители с большим значением диэлектрической постоянной, то можно увеличить ее погонную емкость между электродами на порядок. Пленочные конденсаторы рассчитывают исходя из требуемого номинального значения емкости с учетом удельной емкости структуры. Площадь перекрытия обкладок определяют по формуле Sc = С/Со, где С — номинальное значение емкости, а Со — удельное. Затем вносят технологическую поправку на под-пыл и выводы для контактирования. Для повышения надежности конденсаторов длина линии пересечения нижней и верхней обкладок, разделенных диэлектрическим слоем, должна быть минимальной. С другой стороны, для снижения потерь за счет сопротивления обкладок рекомендуется прямоугольная форма конденсатора с выводом по широкой стороне. Конструкцию конденсатора выбирают на основе компромиссного решения с учетом его рабочих характеристик в составе микросхемы. Индуктивные элементы также выполняют в едином технологическом цикле (в одном слое) с остальными элементами микросхемы. Существующая технология позволяет реализовать индуктивные элементы высокой добротности (Q > 100) в виде спирали с номинальными значениями L = 1 . 100 нГ. Индуктивные элементы малых номинальных значений иногда выполняют в виде отрезков полосковых линий или в виде меандра. В этом случае при расчете индуктивности учитывают не только длину и ширину линии, но и ее толщину, а также влияние металлического основания (металлизации обратной стороны). При составлении и расчете топологического чертежа микросхемы необходимо учитывать конструкцию и геометрические размеры навесных элементов, а также способ их присоединения к пленочным элементам. Кратко остановимся на особенностях СВЧ микросхем. В ГИС СВЧ диапазона применяют полупроводниковые приборы различной конструкции. Оптимальной с точки зрения возможности автоматизации процессов сборки является конструкция полупроводниковых приборов типа LID с балочными выводами и с керамическими полукорпусами (безвыводной перевернутый прибор). Навесные пассивные элементы (резисторы и конденсаторы) выполняют в виде таблеток с балочными выводами. После монтажа навесных элементов и настройки микросборок их стыкуют в корпусе. В этом случае должны быть выполнены два наиболее важных условия: . микросхемы должны стыковаться геометрически одна с другой по входным и выходным контактам с достаточно высокой точностью; . переход от одной микросхемы к другой должен обеспечивать надежный электрический контакт не только по проводникам микрополосковых линий, но и по металлизации основания (обратных сторон микросхем). Требования к точности совмещения «вход—выход» повышаются с ростом рабочей частоты. При смещении стыкуемых микрополосковых линий или возникновении между ними зазора в СВЧ тракте устройства проявляют реактивность, которые приводят к рассогласованию. Надежный электрический контакт обеспечивают, выбирая методы и материалы крепления подложек микросхем к корпусу. В случае пайки мягким низкотемпературным припоем важна совместимость материалов подложек и корпуса по температурному коэффициенту линейного расширения (ТКЛР).

Строгая теория фильтров на микрополосковой линии отсутствует. Следовательно, и расчет фильтра будет приближенным. Экспериментальная настройка микрополоскового фильтра чрезвычайно затруднена из-за малых размеров всех элементов. Кроме того, относительно высокие потери в микрополосковой линии не позволяют изготовить очень узкополосные фильтры. В последние годы исследуются вопросы построения узкополосных фильтров из диэлектрических резонаторов с полосой пропускания порядка 0,1%. Однако пока еще остается нерешенной проблема стабильности частотных характеристик таких фильтров из- за больших значений температурных коэффициентов емкости материалов с высокой диэлектрической проницаемостью. Управление амплитудой и фазой СВЧ сигналов. В современных радиотехнических системах широко применяют устройства управления амплитудой (многоканальные переключатели, аттенюаторы, амплитудные модуляторы, ограничители) и фазой (фазовращатели) СВЧ сигнала. Для этих целей используют СВЧ диоды. Управляющий СВЧ диод может включаться в линию последовательно или параллельно. В микрополосковую линию бескорпусные диоды обычно включают параллельно. Принцип работы многоканального переключателя (рис. 2.22) заключается в том, что при подаче положительного смещения диод открывается, его сопротивление становится намного меньше Z0 и линия в этом сечении шунтируется диодом. Подводимая мощность отражается от этого сечения линии. Если же на диод подать отрицательное смещение, то он закрывается, его сопротивление становится большим и не шунтирует линию. В диоде поглощается небольшая доля переключаемой мощности. Это позволяет выполнять переключатели для относительно большой мощности на маломощных приборах. Если эта мощность мала (менее 1 Вт), то можно применять СВЧ диоды различных типов: варакторы, туннельные диоды и др. Если же уровень мощности превышает 1 Вт, то пригодны только р—i— - диоды, способные рассеять до 10 Вт средней мощности. Необходимо отметить, что вносимые потери в переключателе в режиме пропускания LП и запирания LЗ связаны зависимостью где Rmax, Rmi — сопротивления диода при подаче отрицательного и положительного смещения соответственно, К — качество р—i — -диода. Обычно переключатели разрабатывают на максимальный уровень переключаемой мощности. В этом случае режим работы переключателя целесообразно выбрать таким, чтобы в положениях «включено» и «выключено» в диоде поглощалась одинаковая мощность. При этом в диоде поглощается около 6% коммутируемой мощности. Потери в режиме «включено» составляют 0,5 дБ, в режиме «выключено» 26.28 дБ. Если требуется увеличить вносимые потери в режиме «выключено», вдоль линии можно установить несколько диодов на расстоянии четверти длины волны. Мощность управления одним р—i— - диодом составляет 0,03.0,1 Вт. Если нужно уменьшить мощность управления (например, при большом числе диодов), можно применить варакторы МДП. У этих приборов при изменении напряжения смещения изменяется емкостная проводимость. Ток утечки в них не превышает 10-14 А, из за чего требуемая мощность управления существенно уменьшается. На основе одноканального переключателя созданы электрически управляемые аттенюаторы. В них напряжение смещения диода плавно изменяют в пределах ±Uсм При этом вносимое затухание изменяется в пределах 0,5.28 дБ. Если в линию включить варактор или диод с барьером Шоттки без внешнего смещения, то на нем за счет проходящего сигнала поддерживается постоянное напряжение порядка 1 В, т. е. происходит амплитудное ограничение сигнала.

Поиск Рождение новой идеи

Те же, кто не видит здесь разницы и сомневается в уместности описанных здесь механических устройств, по-видимому, с таким же презрением отнесутся и к тому факту, что Эйнштейн нередко развлекался именно таким образом. ГЛАВА 9 БЕЗ ПРИМЕНЕНИЯ НЕШАБЛОННОГО МЫШЛЕНИЯ НА ОСНОВАНИИ предыдущей главы могло сложиться впечатление, что нешаблонное мышление необходимо главным образом при изобретении или конструировании различных механических устройств и приспособлений. Однако, насколько бы интересными эти устройства ни были, они не играют существенной роли в повседневной жизни; отсюда и строгая ограниченность желания создавать такого рода устройства. Как мы уже указывали, эти устройства как таковые не суть важны; просто на их примере наиболее удобно показать процесс нешаблонного мышления в действии. Если в качестве иллюстрации способов возникновения новых идей использовать область науки, то также может сложиться впечатление, что нешаблонное мышление применяется исключительно в научно-исследовательской деятельности. А поскольку большая часть людей не занимается ни изобретательством, ни научной работой, то нешаблонное мышление может показаться роскошью, без которой вполне можно обойтись

Реферат: Разработка компенсационного стабилизатора напряжения на базе операционного усилителя (ОУ). Разработка цифрового логического устройства Разработка компенсационного стабилизатора напряжения на базе операционного усилителя (ОУ). Разработка цифрового логического устройства

РЕФЕРАТ Курсовой проект по электронике, 18 стр., 4 приложения. Стабилизатор напряжения, операционный усилитель, защита от короткого замыкания, счетчик, шестнадцатеричный код. Курсовой проект состоит из двух частей. Цель первой части - разработка стабилизатора напряжения с использованием операционного усилителя и схемы защиты от короткого замыкания. Цель второй части – разработка дешифратора двоичного кода в шестнадцатеричный. В схемах используются широко распространенные корпусные микросхемы, транзисторы и диоды. СОДЕРЖАНИЕ Введение 1 Компенсационный стабилизатор напряжения 1.1 Расчет трансформаторов 1.2 Расчет выпрямителя 1.3 Расчет фильтров 1.4 Расчет стабилизатора 2. Дешифратор 2.1 Постановка задачи 2.2 Принцип работы схемы Заключение Литература Приложение 1 Приложение 2 Приложение 3 Приложение 4 ВВЕДЕНИЕ Многие электронные устройства, используемые в быту и на производстве требуют определенных параметров напряжения на входе, отличных от параметров сети. Для создания нужного напряжения и используют стабилизаторы напряжения, один из которых требуется разработать в первой части проекта. Стабилизатор разрабатывается на базе стандартных аналоговых элементов, выпускающихся серийно и может использоваться для работы с широким спектром устройств, требующих напряжения, укладывающегося в его выходной диапазон.

Поиск Большая Советская Энциклопедия (СС)

Их создание стало возможным благодаря реализации в камерах сгорания повышенных давлений за счёт использования принципиальных схем, практически исключающих потери на привод турбонасосных агрегатов. Разработка РН и ЖРД способствовала развитию термо-, гидро- и газодинамики, теории теплопередачи и прочности, металлургии высокопрочных и жаростойких материалов, химии топлив, измерит. техники, вакуумной и плазменной технологии .   Требования космической программы обусловили необходимость конструирования комплексных автоматический устройств при жёстких ограничениях, вызванных грузоподъёмностью РН и окружающими условиями космического пространства, что явилось дополнительным стимулом для развития совершенно новой отрасли техники — микроэлектроники и создания лёгких электронных систем. Новые методы компоновки электронной аппаратуры, миниатюризации габаритов, массы и потребления энергии этой аппаратурой были развиты для её использования в космосе. Быстрый прогресс теории управления способствовал решению сложнейших проблем динамики полёта, стабилизации ракеты

Реферат: Конструирование зубчатого мотор - редуктора автоматических устройств Конструирование зубчатого мотор - редуктора автоматических устройств

Министерство высшего и среднего специального образования РФ Санкт-Петербургский Государственный Технологический Институт (Технический Университет) Кафедра теоретических основ химического машиностроения КУРСОВОЙ ПРОЕКТ Тема: «Конструирование зубчатого мотор - редуктора автоматических устройств» Вариант 27 Выполнил студент группы 891 Солнцев П.В. Принял преподаватель Можаева Н.П. Санкт – Петербург 2001 год Содержание: Введение3 Содержание задания1. Кинематический расчет 2. Расчет крутящих моментов 3. Определение модуля передачи 4. Определение диаметров валов 5. Проектирование червячной передачи 6. Проектирование цилиндрической зубчатой передачи 7. Проектирование конической зубчатой передачи 8. Расчет мертвого хода редуктора1. Точность зубчатых и червячных передач 2. Допуски формы и расположения поверхностей зубчатых колес и червяков 3. Требование к базовым поверхностям зубчатых колес и червяков 4. Требование к шероховатости поверхностей1. Конструктивные элементы валов 2. Кинематическая схема трехступенчатого мотор – редуктора и силы, действующие в зацеплении 3.

Поиск К пониманию макроэкономики государства и мира

Эта сводная таблица называется межотраслевым балансом. При избрании определённой нумерации отраслей это квадратная таблица, в которой каждой отрасли соответствуют строка и столбец с соответствующим номером. Кроме них есть ещё один столбец, выходящий за пределы отраслевого квадрата, в которой представлен конечный продукт каждой отрасли. Т.е. задача управления рыночной экономикой на плановой основе включает в себя два этапа: P1.PPP Выявление на основе принятой демографической политики демографически обусловленных потребностей общества на плановую перспективу и его текущих производственных возможностей и последующее проектирование (конструирование) хронологически преемственной последовательности межотраслевых балансов, которая ведёт к гарантированному и полному удовлетворению демографически обусловленных потребностей. P2.PPP Настройка рыночного механизма на производство и распределение продукции в соответствии с планом социально-экономического развития, экономическая составляющая которого представлена в форме последовательности межотраслевых балансов

Реферат: Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации усилителей мощности радиопередающих устройств Проектирование цепей коррекции, согласования и фильтрации усилителей мощности радиопередающих устройств

При необходимости между входным и выходным каскадом может быть включен один или несколько промежуточных каскадов. Входная цепь коррекции и согласования предназначена для согласования входного сопротивления усилителя мощности с выходным сопротивлением модулятора и формирования заданной амплитудно-частотной характеристики входного каскада. Наибольшее распространение в настоящее время получила реализация входной цепи коррекции и согласования в виде последовательного соединения аттенюатора и КЦ той же структуры, что и межкаскадная КЦ . Межкаскадная КЦ предназначена для формирования заданной амплитудно-частотной характеристики выходного каскада. Согласующе- фильтрующее устройство служит для устранения влияния реактивной составляющей выходного импеданса транзистора на уровень выходной мощности выходного каскада, для реализации оптимального, в смысле достижения выходной мощности, сопротивления нагрузки внутреннего генератора транзистора выходного каскада, для обеспечения заданного уровня внеполосных излучений радиопередающего устройства.

Фонарь садовый «Тюльпан».
Дачные фонари на солнечных батареях были сделаны с использованием технологии аккумулирования солнечной энергии. Уличные светильники для
106 руб
Раздел: Уличное освещение
Забавная пачка "5000 дублей".
Юмор – настоящее богатство! Купюры в пачке выглядят совсем как настоящие, к тому же и банковской лентой перехвачены... Но вглядитесь
60 руб
Раздел: Прочее
Мыло металлическое "Ликвидатор".
Мыло для рук «Ликвидатор» уничтожает стойкие и трудно выводимые запахи за счёт особой реакции металла с вызывающими их элементами.
197 руб
Раздел: Ванная

Реферат: Проектирование активных фильтров на интегральных операционных усилителях Проектирование активных фильтров на интегральных операционных усилителях

РефератЦелью данной курсовой работы является проектирование активного фильтра верхних частот, основанного на интегральном операционном усилителе. Для исследования фильтра используются следующие методы: методы синтеза и анализа электронных схем, метод автоматического проектирования электронных схем, метод объектно-ориентированного программирования. В представленной курсовой работе рассчитан активный фильтр верхних частот на основе интегрального усилителя построенный по схеме с многопетлевой обратной связью. Частота среза данного фильтра составляет 1000 Гц, коэффициент передачи в полосе пропускания равен 5, наклон АЧХ в полосе ограничения – 40 дБ/дек, неравномерность АЧХ в полосе пропускания - 20дБ. АКТИВНЫЙ ФИЛЬТР, ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ПЕРЕДАТОЧНАЯ ФУНКЦИЯ, АМПЛИТУДНО - ЧАСТОТНАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА, ЧАСТОТА СРЕЗА, КОЭФФИЦИЕНТ ПЕРЕДАЧИ, ПОЛОСА ПРОПУСКАНИЯ, ПОЛОСА ОГРАНИЧЕНИЯ. СодержаниеВведение Существующие виды активных ВЧ фильтров Фильтры верхних частот на одном усилителе с положительным коэффициентом усиления Фильтры, реализующие комплексно-сопряженные нули.

Реферат: Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя Основы проектирования интегральных микросхем широкополосного усилителя

Полученные результаты: библиотека элементов усилителя, эскиз топологии в формате Au oCAD. Степень внедрения: не внедрено. Область применения: не применяется. Основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики: количество слоев в кристалле – 6, количество элементов в принципиальной схеме –20 элементов, из них: 9 -p- транзистора, 9 резисторов. СодержаниеВведение 1. Общие принципы построения топологии биполярных ИМС 1.1 Выбор физической структуры разрабатываемой ИМС 2 Проектирование и расчет геометрических размеров элементов ИМС 2.1 Проектирование и расчет биполярных интегральных транзисторов 2.2 Расчет геометрических размеров резисторов 3 Разработка библиотеки элементов широкополосного усилителя 3.1 Расчет геометрических размеров биполярного -p- транзистора 3.2 Расчет геометрических размеров диффузионного резистора 4 Основные правила проектирования топологии ИМС 4.1 Проектирование топологии ИМС Заключение Список использованных источников Приложение А. Эскиз топологии широкополосного усилителя ВведениеОсновной тенденцией в современных полупроводниковых ИМС является увеличение степени интеграции.

Реферат: Конструирование зубчатого мотор - редуктора автоматических устройств Конструирование зубчатого мотор - редуктора автоматических устройств

Для поддержания вращающихся деталей и передачи крутящих моментов между ними служат валы. От прочности и жесткости валов во многом зависит работоспособность механизмов. Чтобы уменьшить габариты редуктора в целом, электродвигатель часто устанавливают непосредственно в его корпусе. При этом ведущее колесо первой ступени насаживают непосредственно на вал электродвигателя, поэтому вал электродвигателя одновременно является входным валом редуктора. Такие конструкции принято называть мотор – редукторами. Содержание задания Целью работы является разработка конструкции трехступенчатого мотор – редуктора, кинематическая схема которого включает в себя червячную, коническую и цилиндрическую прямозубые передачи. Выполнить рабочие чертежи зубчатых колес и червяков, а также изложить метод расчета и конструирование валов малогабаритных редукторов приборов. Исходные данные Последовательность передачи Ч – Ц – К; первая степень – червячная, вторая ступень – цилиндрическая, третья ступень – коническая. Тип электродвигателя: СЛ – 261 ТВ Угловая скорость выходного вала редуктора Степень точности передач 7 – Д Технические характеристики электродвигателя СЛ – 221 ТВ Номинальная мощность на валу – 24 Вт.

Реферат: Конструирование ДЛА РДТТ Конструирование ДЛА РДТТ

Оглавление. Стр. Аннотация. Задание. Выбор оптимальных параметров. Изменение поверхности горения по времени. Профилирование сопла. Расчет ТЗП. Приближенный расчет выхода двигателя на режим по начальной поверхности горения. Геометрические характеристики заряда камеры. Расчет на прочность основных узлов камеры. Расчет массы воспламенительного состава. Описание конструкции. Спец. часть проекта. УВТ. Описание ПГС. Литература. 1.Анотация. Ракетные двигатели твердого топлива (РДТТ) получили в настоящее время широкое применение. Из опубликованных данных следует, что более 90 % существующих и вновь разрабатываемых ракет оснащаются РДТТ. Этому способствуют такие основные достоинства их, как высокая надежность, простота эксплуатации, постоянная готовность к действию. Наряду с перечисленными достоинствами РДТТ обладают рядом существенных недостатков: зависимостью скорости горения ТРТ от начальной температуры топливного заряда; относительно низким значением удельного импульса ТРТ; трудностью регулирования тяги в широком диапазоне.

Реферат: Конструирование и технология производства ЭВА Конструирование и технология производства ЭВА

Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности


Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств ЁЁ Медиа В.И. В.
2100 руб
Конструирование высокоскоростных цифровых устройств: начальный курс черной магии Диалектика / Вильямс Джонсон Г.В.
Простое и доступное изложение материала, а также его сугубо практический уклон, позволят немедленно перейти к применению описанных подходов в производстве.
875 руб
Учебное пособие для вузов Технологическое проектирование микросхем СВЧ: изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана Бушминский И.П.,Морозов Г.В.
Большое внимание уделено рассмотрению производства МЭИ СВЧ как системы.
240 руб
Учебное пособие (+ CD-ROM) Проектирование мехатронных и робототехнических устройств. Учебники для ВУЗов. Специальная литература Лань Лукинов А.П.
Учебное пособие ориентировано на подготовку специалистов в области проектирования мехатронных и робототехнических систем.
3067 руб
Проектирование импульсных и цифровых устройств радиотехнических систем ЁЁ Медиа Ю.М. К.
1187 руб
Оптимальное проектирование силовых высокочастотных ферромагнитных устройств ЁЁ Медиа Бальян Р.Х.
Воспроизведено в оригинальной авторской орфографии издания 1987 года (издательство "Издательство Томского университета").
1054 руб
Учебное пособие. Гриф УМО вузов России Конструирование узлов и устройств электронных средств. Высшее образование Феникс Муромцев Д.Ю.
Рассмотрены перспективные методы конструирования современных электронных средств.
694 руб
Конструирование СВЧ каскадов на резонансных линиях и спиральных фильтрах ЁЁ Медиа Л.И. З.
Книга рассчитана на широкий круг читателей, связанных с разработкой и конструированием радиоэлектронной аппаратуры, а также может быть полезна студентам учебных заведений радиоконструкторских специальностей.
812 руб
Проектирование аналоговых и цифровых устройств: Учебное пособие. Гриф МО РФ Бакалавриат Инфра-М Титов В.С.
Приведены примеры расчета аналоговых схем и реализации цифровых устройств различного назначения на интегральных схемах.
453 руб

Молочный гриб можно использовать для похудения, восстановления микрофлоры, очищения организмаМолочный гриб можно использовать для похудения, восстановления микрофлоры, очищения организма

(495) 105 99 23

Сайт char.ru это сборник рефератов и книг