(495)
105 99 23



оплата и доставка

оплата и доставка char.ru



Книги интернет магазинКниги
Рефераты Скачать бесплатноРефераты



Осознанность, где взять счастье

Электроника

ПОИСК В ЗАГОЛОВКАХ В ТЕКСТЕ В ТОВАРАХ

Электротехника и электроника. В 2-х частях. Часть 1. "Электротехника" Ин-Фолио Теплякова О.А.
Оно состоит из двух частей.
462 руб
Твердотельная электроника Техносфера Гуртов В.А.
Рассмотрены характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах, квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники.
674 руб

Реферат: Применение электроники и биомеханики при протезировании Применение электроники и биомеханики при протезировании
Реферат: Электротехника и основы электроники Электротехника и основы электроники
В аналоговых устройствах используются переменные, изменяющие свое значение в определенном диапазоне значений между верхним и ниж-ним пределами. Это естественно, когда обрабатываемые сигналы являются непрерывными по своей природе или представляют собой непрерывно изменяющиеся напряжения, поступающие от измерительных приборов (например, от устройств для измерения температуры, давления, влажности и т.п.). Пример аналогового сигнала U ( ) приведен на рис. 1,а. Однако входной сигнал по своей природе может быть и дискретным, например, импульсы в детекторе частиц или ''биты'' информации, поступаю- щие от ключа, клавиатуры или ЭВМ. В подобных случаях удобно использо-вать цифровую электронику, т.е. схемы, которые имеют дело с информацией, представленной в виде ''единиц'' и ''нулей''. Цифровые переменные имеют только два уровня, (рис. 1,б). Эти уровни напряжения называют верхним и нижним, или обозначают терминами ''истина'' и ''ложь'', которые связаны с булевой логикой, или ''включено'' и ''выключено'', которые отражают состояние релейной системы, а чаще ''нулем'' и ''единицей''.
Реферат: Шумы - электроника Шумы - электроника
Необходимо помнить,что ИС ТТЛ-типа,представляющие собой токовые приборы с малым входным сопротивлением,особенно чувствительны к разности потенциалов цепей питания между отдельными ИС,возникающей из-за паразитных токов. ИС МДП-типа управляются напряжением и имеют высокое входное и малое выходное сопротивление,поэтому они особенно чувствительны к излучаемым помехам.Вторичная чувствительность к паразитным токам возникает в результате помех от соседних проводников,по которым передаются импульсные сигналы. Линейные ИС имеют высокое входное и малое выходное сопротивления.В отличие от цифровых ИС для линейных ИС не указываются диапазоны напряжений.Шумовые выбросы могут просачиваться в усилитель с высоким коэффициентом усиления по шинам питания. Для уменьшения восприимчивости аппаратуры на ИМС к электромагнитным помехам на практике необходимо:
Реферат: Основы электроники Основы электроники
Снижение потенциала в точке c до Uпер вызывает переключение B2 в низкий уровень (точка d). По окончании импульса на входе схемы конденсатор C разряжается через выход буферного усилителя B1 и резистор R , диод на входе B2 не пропускает отрицательный импульс (точка с). Длительность ввыходного импульса можно изменять значениями С и/или R т.к. постоянная времени дифференцирующей RC-цепи равна произведению R на С. Конденсатор заряжается до 99% Uвх за = 5RC.ЗАДАЧА № 3. Пpедложите формирователь коротких импульсов по переднему фронту положительного прямоугольного импульсного сигнала на основе интегрирующих RC-цепей, диодов и логических элементов. Уровни входных и выходных сигналов должны соответствовать уровням ТТЛ - логики. В ответе пpивести: структурную и функциональную (или принципиальную) схемы; временную диаграмму, которая показывает формы сигналов в основных характерных точках схемы; кpаткое описание принципа действия; объяснение ( за счет чего и как можно изменять длительность формируемого импульса.Формирователь коротких импульсов по фронту входного импульса на основе интегрирующего RC-звена.Положительный перепад в точке a через буферный элемент B1 и резистор R заряжает конденсатор C (точка b).
Реферат: Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах Сверхпроводящие материалы в электронике. Магнитометр на СКВИДах
Реферат: Электроника Электроника
Работа ПТ основана на управлении R канала ПТ поперечным электрическим полем. ПТ с: p- переходом МДМ или МОП « »- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость. «-»-малая крутизна ПТ с p- переходом Структура и работа.ВАХ: выходная rc=?Ucч/?Ic Uзи=co s (отсечки) ?10-100кОмСтокозатворная характеристика крутизна: S=(dIc/dUзи) Uc=co s (МДП)-транзисторы-МОПМОП: -с встроенным -с индуцируемымСтруктура и работа.Работа основана на явлении изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием электрического поля. ВАХ: стокзатворная изолированный каналВстроенный канал cтокзатворнаяrк=1/s “ ”высокое Rвх 1012 14 Ом, высокие допустимые напряжения Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные каскады усилителей мощности, управляемые R. Терристор П/п прибор с 3-мя и более p- переходами, применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х электродные – тринистор. Динистор: структура и работаЕсли преложить « » к аноду то П1-П3 смещаются прямо ->их R мало, П2 смещается обратно. По мере возрастания Uлк ширина П2 увеличивается ->и с Uак создается U пробоя ->динистор открывается.
Реферат: Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС) Микроэлектроника и функциональная электроника (разработка топологии ИМС)
В частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.Переход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15-0,18 мкм.Быстрое развитие мироэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами:1) Надежность - комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.2) Снижение габаритов и массы.
Реферат: История развития электроники История развития электроники
Электронные приборы служат основными элементами радиотехнических устройств и определяют важнейшие показатели радиоаппаратуры. С другой стороны многие проблемы в радиотехнике привели к изобретению новых и совершенствованию действующих электронных приборов. Эти приборы применяются в радиосвязи, телевидении, при записи и воспроизведении звука, в радиолакации, в радионавигации, в радиотелеуправлении, радиоизмерении и других областях радиотехники. Современный этап развития техники характеризуется все возрастающим проникновении электроники во все сферы жизни и деятельности людей. По данным американской статистики до 80% от объема всей промышленности занимает электроника. Достижения в области электроники способствуют успешному решению сложнейших научно–технических проблем. Повышению эффективности научных исследований, созданию новых видов машин и оборудования. Разработке эффективных технологий и систем управления: получению материала с уникальными свойствами, совершенствованию процессов сбора и обработки информации.
Реферат: Лекции по твердотельной электронике Лекции по твердотельной электронике
Московский энергетический институт (технический университет) ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций Москва, 2002 г. СодержаниеЛекция 1 41. ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 4 1.1. Электропроводность полупроводников 4Лекция 2 9 1.2. Электроны в кристалле 9 1.2.1. Энергетические зоны. Свободные носители зарядов: электроны и дырки. 9 1.2.3. Легирование кристаллов донорной или акцепторной примесью, полупроводники " " и "p" типа . 22Лекция 3 27 1.2.4. Расчет концентрации носителей заряда в кристалле. 27Лекция 4 39 1.2.5. Зависимость скорости электрона от напряженности электрического поля. Понятия эффективной массы и подвижности. 39 1.2.6. Расчет электропроводности полупроводниковых кристаллов на основе рассмотренных моделей. 47Лекция 5 55 1.2.7. Неравновесные электроны и дырки. Рекомбинация неравновесных носителей заряда. 55 Диффузионный и дрейфовый токи. 58 1.2.8. Уравнение непрерывности. 60 ВВЕДЕНИЕ Современная научно-техническая революция и переход от индустриального к информационному обществу в значительной степени обусловлены повышением производительности интеллектуального труда за счет информационных технологий, материальную основу которых составляют твердотельные полупроводниковые приборы и устройства на их основе.
Реферат: Молекулярная электроника- электроника 21 века Молекулярная электроника- электроника 21 века
Кроме того, с уменьшением толщины диэлектрика в полевых транзисторах растет вероятность прохождения электронов через него, что также препятствует нормальной работе приборов. Еще один путь повышения производительности - применение вместо кремния других полупроводников, например арсенида галлия (GaAs). За счет более высокой подвижности электронов в этом материале можно увеличить быстродействие устройств еще на порядок. Однако технологии на основе арсенида галлия намного сложнее кремниевых. Поэтому, хотя за последние два десятка лет в исследование GaAs вложены немалые средства, интегральные схемы на его основе используются в основном в военной области. Здесь их дороговизна компенсируется низким энергопотреблением, высоким быстродействием и радиационной устойчивостью. Однако и при разработке устройств на GaAs остаются в силе ограничения, обусловленные как фундаментальными физическими принципами, так и технологией изготовления. Вот почему сегодня специалисты в разных областях науки и техники ищут альтернативные пути дальнейшего развития микроэлектроники. Один из путей решения проблемы предлагает молекулярная электроника.


ПОИСК В ЗАГОЛОВКАХ В ТЕКСТЕ В ТОВАРАХ

(495) 105 99 23

Сайт char.ru это сборник рефератов и книг