Картридж струйный "ProMEGA Print CN625AE", черный, повышенная емкость

Конструктивно-технологические варианты исполнения биполярного и полевого транзисторов в одном...
Важным преимуществом последнего является возможность формирования очень короткого канала и, тем самым, достижения высокого быстродействия. При изготовлении этой структуры одновременно формируют -области эмиттера, контакта к коллектору, стока и истока; р -область затвора может формироваться или при диффузии активной базы р-типа, или, что более эффективно, при создании заглубленной области р -типа пассивной базы биполярного транзистора. В целях повышения воспроизводимости параметров структуры диффузия может быть заменена ионной имплантацией. Вертикальный полевой транзистор при площади истока, равной 250 мкм2, имеет предельную частоту усиления 7 ГГц, напряжение отсечки 2 В, напряжение пробоя исток — затвор 10 В. Следует отметить, что область истока с целью осуществления контакта выполняется шире канала и поэтому перекрывает диффузионные области затвора. Недостатками такой конструкции полевого транзистора, обусловленными перекрытием затвором области истока, является повышенная емкость затвор — исток и малое напряжение пробоя.